博世10亿欧元开设芯片工厂 斥资近800亿！台积电首个欧洲芯片工厂落地德国，美日新厂总投资已超4600亿｜硅基世界

斥资近800亿的台积电首个欧洲芯片工厂正式落地。

8月20日消息，钛媒体App获悉，晶圆代工龙头台积电，与英飞凌、恩智浦、博世联合成立的台积电首个欧洲芯片制造工厂（ESMC）在德国萨克森自由州德累斯顿落地，并举行动土典礼。

台积电表示，首座ESMC晶圆厂总计投资金额预估超过100亿欧元（约合人民币791.93亿元），包括股权注资、借债、以及欧盟和德国政府的大力支持，计划于2024年底前开始兴建，预计将于2027年底进入生产阶段。全面运营后，ESMC将生产TSMC 28/22nm CMOS 以及16/12nm FinFET电晶体技术芯片，即生产最先进12nm芯片，预计将创造约2000个直接的高科技专业工作机会，从而支持欧洲的先进汽车芯片制造系统。

新厂意义重大。这是台积电在欧洲建立的首个芯片制造工厂，同时是德国萨克森自由州史上最大规模的单一投资案，而且还是欧盟首个，也是迄今唯一一个具备先进制造产能的芯片生产基地，以及台积电在全球建立的首个重点为汽车和工业领域生产芯片的晶圆厂。

台积电董事长、总裁魏哲家表示：“我们与博世、英飞凌和恩智浦一起合作兴建这座德勒斯登晶圆厂，以满足快速成长的欧洲汽车和工业领域对于半导体的需求。藉由这座最先进的晶圆厂，我们将把台积电先进制造能力带给我们的欧洲客户和合作伙伴，刺激当地的经济发展，并推动整个欧洲的技术往前迈进。”

德国总理奥拉夫·朔尔茨（Olaf Scholz）则表示：“我们依赖芯片半导体来发展可持续的未来技术，但我们不能依赖世界其他地区的半导体供应。”值得一提的是，ESMC晶圆厂中有一半（约50亿欧元）来自德国政府的补助。

欧盟执委会主席冯德莱恩（Ursula von der Leyen）则直接宣布，欧盟执委会已依据欧盟国家补助规则（EU State aid rules）通过一项50亿欧元（约合人民币395.96亿元）对德国的补助措施，以支持ESMC 半导体晶圆厂的建设工程和营运。

据悉，ESMC成立于2023年，由台积电（TSMC）、博世（Bosch）、英飞凌（Infineon）及恩智浦（NXP）共同投资，旨在欧洲建立一座先进的半导体晶圆厂。其中，台积电持有德累斯顿工厂70%的股权，博世、英飞凌和恩智浦各持有10%股权。

除了CMOS和FinFET之外，ESMC未来将开发针对汽车应用、嵌入式闪存芯片、电阻式存储芯片（RRAM）、磁阻式随机存取存储芯片（MRAM）、射频（RF）及其他非挥发性存储芯片等创新的差异化技术。台积电强调，其将按照专业积体电路制造服务模式经营该晶圆厂，并不受限服务博世、英飞凌和恩智浦以外的客户。

当前，德国正带领欧盟努力到2030年生产全球五分之一（20%）的半导体，以解决两年前全球汽车“缺芯”带来的混乱和产能不足情况，从而实现尖端芯片制造的本土化。

朔尔茨政府已计划投入200亿欧元来支持德国芯片生产，其中包括台积电工厂和为计划在马格德堡建设的英特尔公司工厂提供的100亿欧元援助。而ESMC首个晶圆厂将帮助欧洲减少对亚洲进口芯片的依赖，此前大众汽车、保时捷等德国汽车制造商已表示有兴趣提高国内芯片产量，增加新工厂订单。

当前台积电业绩较为稳定。7月18日，台积电（TPE：2330/NYSE：TSM）公布2024年二季度财报，当季实现营收6735.1亿新台币，同比增长40.1%；当季实现净利润为2476.62亿新台币，同比增长36.3%。以美元口径计，当季实现营收208.22亿美元，净利润为76.57亿美元。

其中，生成式AI热潮之下，数据中心AI芯片的旺盛需求是台积电过去几个季度业绩复苏的最大驱动力。英伟达主力产品H100以及采用最新的Blackwell架构的GPU、AMD的MI300、英特尔的Gaudi 3等AI芯片，均使用台积电5纳米工艺。魏哲家表示，下一代2nm制程将在2025年投入量产，与上一代制程相比，相同能效下2纳米提供的速度快10%-15%，相同速度下2nm制程的能效高25%-30%。“随着AI的强劲需求持续，台积电将继续投资以支持客户增长。”

根据规划，2024全年，台积电资本开支达到300-320亿美元，其中70%-80%将用于先进制程研发，10%-20%将用于特殊工艺研发，10%将用于先进封装、测试技术。

近期台积电明显加大海外建厂速度，今年已在日本开设了第一家工厂，并承诺在美国亚利桑那州建造三家先进芯片工厂，总投资额已经超过650亿美元（约合人民币4636.13亿元），即超过4600亿元。

（本文首发于钛媒体App，作者｜林志佳，编辑｜胡润峰）