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中国集成电路 中国芯接下来的突破方向:让7nm芯片,比3nm性能更强

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近年来,我国芯片行业正面临重重困难。外面老爷限制我们的芯片技术进不了5纳米、3纳米,内部也还没有自己的EUV光刻机,短期内也难实现突破。不过大家长安可不宅在家里哭,他们找到了新的出路,就是在7纳米芯片的基础上大开创新,用整体思路和新材料,让7纳米也能和5纳米媲美,这真是开创思路!

我们知道,7纳米就是目前我国芯片产业能力范围内的最大进步了。不过相对于5纳米和3纳米,7纳米在细化等方面肯定还有差距。不过华为老板大哥不气馁,提出了“以整体取胜”的新理念。他指出,不能再死磕纳米了,要在结构、封装、材料等各个方面下苦功,化整为零,让7纳米水平突飞猛进。

举个栗子,我们可以采用三维立体结构,把晶格层层叠加,再用新材料包裹,力求在相同芯片面积内装更多功能。还可以改进封装技术,将很多小芯片各司其职地合体,帮助整体性能飞跃。除此以外,采用碳基或光电等新材料也很有希望给7纳米带来质的飞越。

事实证明,这条路很有出路。华为的麒麟芯片采用这一理念研发,在7纳米基础上已经不输5纳米了,真是开创一番事业!相信以后的中国芯片也必将在此路上繁荣发展。重要的是要有创新思维,把眼光放长远,不断改进发展,相信未来一定会有新的突破!

总之,中国芯片行业在突破困难的同时,也找到了更具可持续发展性的新路子。只要我们全体员工团结协作,秉持开放进取的技术思想,7纳米之路一定会更加广阔。相信在大家同心协力下,中国芯片必将迎来更加光明的未来!

中芯国际7nm芯片新发展方向

继上文介绍了我国芯片行业在7nm技术路线上寻找新的发展方向后,具体来看,国内芯片企业目前在7nm晶圆及IC设计等多个领域都有了新的进展。

首先,我国与美国上海领衔的合资企业中芯国际,日前宣布其自主研发的7nm工艺已经实现量产,这不仅标志着我国7nm芯片产能正式开花结果,也势将改变国内芯片供应格局。据悉,中芯国际7nm工艺采用FinFET三叉技术,性能指标接近国际一线水平,将在手机SoC、服务器等多个领域推出产品。

其次,在IC设计领域,我国也有不少企业掌握了7nm级别的设计能力。比如长积电路、思摩尔等公司已成功推出第七代以及更高级别图设流程,能匹配中芯国际7nm生产线需求。此外,华为、中科曙光等也在加速布局7nm以及更先进节点设计应用。

再者,材料层面是7nm及以下节点的重要瓶颈之一。国内科研院所纷纷开展7nm及以下节点新结构新材料研发,探讨在此基础上提升性能。比如半导体研究所正在研究采用碳乃脚晶体管等新型材料以优化7nm晶体管结构。

总体来看,我国7nm芯片产业发展正处在一个新的起点。随着中芯国际7nm量产 sowie其他企业的IC设计与新材料研发进展,未来3-5年内,我国7nm产业规模有望迅速扩大,初步构建起一个从基础研究到终端应用的完整产业链。这将极大提升我国在这一关键领域的自主可控能力。

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